Intel, Motorola и Advanced Micro Devices (AMD) создали альянс

Легендарный Гордон Мур, соучредитель Intel, встретился 9 сентября на конференции в Сан-Хосе с секретарем министерства энергетики США Федерико Пена (Federico Репа), чтобы объявить о том, что Intel, Motorola и Advanced Micro Devices (AMD) создали альянс и решили вложить в течение трех ближайших лет 250 млн. долларов в предприятие EUV LLC (Extreme Ultraviolet Lithography Limited Liability Co.) Основным назначением компании станет, как можно догадаться по названию, разработка методов литографии в сверхультрафиолете, что позволит решить проблемы проектирования микросхем с технологическим разрешением 0, 15 мкм и тоньше.

Как известно, год назад министерство энергетики США отменило финансирование работ в области литографии EUV (Extreme Ultraviolet). Теперь оно выступает как партнер корпораций. Новое предприятие должно оказать прямую поддержку национальным лабораториям в Ли-верморе (Lawrence Livermore National Laboratory), Сандиа (Sandia National Laboratories) и Беркли (E. О, Lawrence Berkeley National Laboratory). Результаты чисто исследовательских проектов в области тонкой литографии будут поступать для промышленного воплощения в EUV LLC.

Совместный вклад гигантов микросхемотехники является наибольшим из тех, которые частные компании когда-либо предлагали министерству энергетики США.

Выступая на встрече, Мур сказал, что альянс сильнейших сможет решить главную проблему роста промышленности полупроводников. По мнению авторитета, промышленность может произвести еще два поколения чипов прежде, чем традиционная технология исчерпает себя.

Если в настоящее время самый мощный процессор Intel содержит 7, 5 млн. транзисторов, то в 2014 году, как считает Энди Гроув (Andy Grove), на чипе той же площади должно быть размещено никак не менее 1 млрд. транзисторов!

Метод ЕUV является одним из полудюжины рассматриваемых в настоящее время кандидатов на литографические системы следующего поколения, которые будут способны оперировать с деталями размером менее 0, 18 мкм — того предела, который доступен нынешним ультрафиолетовым лазерам, работающим на излучении с длиной волны 248 нанометров. Известны попытки применения рентгеновских лучей, прямого селективного излучения электронов, проекции ионов. Что касается оптической литографии, то лазеры с длинами волн от 193 до 150 нм могут обеспечить разрешение от 0, 15 до 0, 1 мкм-для масок и самих чипов.

Заявление об альянсе было сделано накануне конференции Semantech, которая состоится 4 ноября в Колорадо-Спрингс и будет посвящена новым методам проектирования сверхплотных чипов.

В настоящее время проблемы всех систем литографии обусловлены чрезвычайной сложностью конструируемых объектов. Например, проектировщики чипов для EUV должны будут оперировать с 60 чрезвычайно тонкими слоями и учитывать эффекты взаимоналожения сигналов в этой умопомрачительной топологии.

Одним из будущих лидеров в разработке методов EUV-литографии считается калифорнийская компания Ultratech Stepper, купившая в прошлом году у AT&T Bell Labs предприятие по созданию масок EUV.

По мнению Клауса Риннена (Klaus Rinnen), аналитика из Dataquest, инвестиции трех крупнейших производителей чипов означают только одно: эта проблема — узкое место. Есть масса новых технологий, включая нанотехнологии. В разных странах ведутся разные проекты. Однако тройка главных сделала ставку на совершенствование почти традиционных методов.

Мур, кроме всего прочего, прославился еще и тем, что в 1965 году постулировал закон, названный его именем, который гласит: «плотность размещения транзисторов на единице поверхности микросхемы удваивается каждые два года». Пока время подтверждает это правило.

• IPhone 5
  Так, данный аппарат предлагается в нескольких расцветках, более того, сегодня он по справедливости считается одним из самых сбалансированных смартфонов под Android